Method for forming fin field effect transistor

WO2015127697 Art A1 3. September 2015

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015127697
Aktenzeichen: EP14884207
Anmeldetag: 18. März 2014
Veröffentlichung: 3. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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