Method for forming fin field effect transistor

WO2015127701 Art A1 3. September 2015

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015127701
Aktenzeichen: EP14884131
Anmeldetag: 21. März 2014
Veröffentlichung: 3. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

1.696 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von