Method for manufacturing metal-oxide film, metal-oxide film, thin-film transistor, and electronic device

WO2015129104 Art A1 3. September 2015

Anmelder: Fujifilm Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015129104
Aktenzeichen: EP14883885
Anmeldetag: 10. November 2014
Veröffentlichung: 3. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/288H01L21/368H01L29/786H01L51/50H05B33/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujifilm Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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