Semiconductor device comprising a hydrogen diffusion barrier and method of fabricating same
WO2015129279
Art A1
3. September 2015
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015129279
- Aktenzeichen
- EP15755733
- Anmeldetag
- 26. Februar 2015
- Veröffentlichung
- 3. September 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L27/105H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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