Method of oxidizing treatment of transition metal film and oxidizing treatment device

WO2015129413 Art A1 3. September 2015

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Tohoku Technoarch Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015129413
Aktenzeichen: EP15755735
Anmeldetag: 4. Februar 2015
Veröffentlichung: 3. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/56C23C16/507C23C16/511H01L21/316H01L27/105H01L45/00H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Tohoku Technoarch Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von