Etching composition, etching method employing same, and production method for semiconductor substrate product

WO2015129552 Art A1 3. September 2015

Anmelder: Fujifilm Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015129552
Aktenzeichen: EP15755672
Anmeldetag: 19. Februar 2015
Veröffentlichung: 3. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/308C23F1/44H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujifilm Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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