Non-volatile resistive random access memory element and method for producing same

WO2015130114 Art A1 3. September 2015

Anmelder: Seoul National University R & DB Foundation, Institute for Basic Science 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015130114
Aktenzeichen: EP15755377
Anmeldetag: 27. Februar 2015
Veröffentlichung: 3. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Seoul National University R & DB Foundation
Institute for Basic Science
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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