P-doping-free schottky-on-heterojunction light-emitting diode and high-electron-mobility light-emitting transistor

WO2015131846 Art A1 11. September 2015

Anmelder: The Hong Kong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015131846
Aktenzeichen: EP15758643
Anmeldetag: 6. März 2015
Veröffentlichung: 11. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Hong Kong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 The Hong Kong University of Science and Technology

The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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