Method for producing epitaxial wafer, and silicon-based substrate for epitaxial growth

WO2015133063 Art A1 11. September 2015

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015133063
Aktenzeichen: EP15758735
Anmeldetag: 10. Februar 2015
Veröffentlichung: 11. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/02C23C16/34H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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