Ldmos transistor and method of forming the ldmos transistor with improved rds*cgd

WO2015134909 Art A1 11. September 2015

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015134909
Aktenzeichen: EP15758451
Anmeldetag: 6. März 2015
Veröffentlichung: 11. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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