Plasma etching method, and patterned substrate manufacturing method

WO2015136898 Art A1 17. September 2015

Anmelder: Fujifilm Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015136898
Aktenzeichen: EP15761001
Anmeldetag: 5. März 2015
Veröffentlichung: 17. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065B32B7/02G03F1/80H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujifilm Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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