Semiconductor device production composition and pattern formation method using said semiconductor device production composition

WO2015137193 Art A1 17. September 2015

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015137193
Aktenzeichen: EP15762291
Anmeldetag: 3. März 2015
Veröffentlichung: 17. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027G03F7/11G03F7/26H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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