Vertical nitride semiconductor device

WO2015143158 Art A1 24. September 2015

Anmelder: Massachusetts Institute Of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015143158
Aktenzeichen: EP15715027
Anmeldetag: 19. März 2015
Veröffentlichung: 24. September 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/861H01L29/872H01L29/267H01L29/417H01L29/10H01L29/20H01L29/06

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute Of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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