Single-crystal silicon carbide substrate, epitaxial silicon carbide substrate, and processes for producing said substrates

WO2015146320 Art A1 1. Oktober 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015146320
Aktenzeichen: EP15768370
Anmeldetag: 9. Februar 2015
Veröffentlichung: 1. Oktober 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36B24B37/10C23C16/42C30B25/20H01L21/205H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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