Semiconductor element and insulating-layer-forming composition
WO2015146927
Art A1
1. Oktober 2015
Anmelder: FUJI-FILM Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015146927
- Aktenzeichen
- EP15768210
- Anmeldetag
- 23. März 2015
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786C08F12/22H01L21/312H01L51/05H01L51/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJI-FILM Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.
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