Manufacturing method for -ga2o3 single crystal layer, sapphire substrate having -ga2o3 single crystal layer, free-standing -ga2o3 single crystal and manufacturing method therefor
WO2015147101
Art A1
1. Oktober 2015
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015147101
- Aktenzeichen
- EP15769547
- Anmeldetag
- 25. März 2015
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/16C23C14/08C23C16/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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