Epitaxial growth substrate production method, epitaxial growth substrate obtained therefrom, and light-emitting element using said substrate
WO2015147134
Art A1
1. Oktober 2015
Anmelder: JX Nippon Oil & Energy Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015147134
- Aktenzeichen
- EP15769916
- Anmeldetag
- 26. März 2015
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Oil & Energy Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Oil & Energy Corporation
Japanisches Mineralöl- und Energieunternehmen (Raffinerien, Kraftstoffe, Schmierstoffe), Vorläufergesellschaft des heutigen ENEOS-Konzerns.
902 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.