Replacement materials processes for forming cross point memory
WO2015148728
Art A1
1. Oktober 2015
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015148728
- Aktenzeichen
- EP15768137
- Anmeldetag
- 25. März 2015
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8239
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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