Method for manufacturing semiconductor and method for cleaning wafer substrate
WO2015152223
Art A1
8. Oktober 2015
Anmelder: National Institute Of Advanced Industrial Science, OPT Creation Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015152223
- Aktenzeichen
- EP15773806
- Anmeldetag
- 31. März 2015
- Veröffentlichung
- 8. Oktober 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/027C11D7/04C11D7/18H01L21/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute Of Advanced Industrial Science
OPT Creation Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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