Nitride semiconductor device, method for manufacturing same, diode and field effect transistor

WO2015152411 Art A1 8. Oktober 2015

Anmelder: Furukawa Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015152411
Aktenzeichen: EP15772657
Anmeldetag: 3. April 2015
Veröffentlichung: 8. Oktober 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/205H01L21/329H01L29/207H01L29/778H01L29/812H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Furukawa Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Furukawa Electric

Furukawa Electric ist ein japanischer Hersteller von Glasfaserkabeln, elektronischen Bauteilen und Kupferprodukten für die Telekommunikations- und Automobilindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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