Method for depositing high k gate medium on graphene material and use thereof

WO2015154724 Art A1 15. Oktober 2015

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015154724
Aktenzeichen: EP15776909
Anmeldetag: 13. April 2015
Veröffentlichung: 15. Oktober 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/285C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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