Nitride semiconductor single crystal substrate manufacturing method

WO2015159342 Art A1 22. Oktober 2015

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015159342
Aktenzeichen: EP14889554
Anmeldetag: 14. April 2014
Veröffentlichung: 22. Oktober 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/34C23C16/44C30B29/38H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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