Epitaxial silicon carbide wafer and process for producing same

WO2015159949 Art A1 22. Oktober 2015

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015159949
Aktenzeichen: EP15780114
Anmeldetag: 16. April 2015
Veröffentlichung: 22. Oktober 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/36H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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