Method of obtaining planar semipolar gallium nitride surfaces
WO2015160909
Art A1
22. Oktober 2015
Anmelder: Yale University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015160909
- Aktenzeichen
- EP15780209
- Anmeldetag
- 15. April 2015
- Veröffentlichung
- 22. Oktober 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yale University
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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