Semiconductor device and method for producing same

WO2015162768 Art A1 29. Oktober 2015

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015162768
Aktenzeichen: EP14889798
Anmeldetag: 24. April 2014
Veröffentlichung: 29. Oktober 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/00H05K3/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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