Epitaxial growth substrate production method, epitaxial growth substrate obtained thereby, and light-emitting element using same substrate

WO2015163315 Art A1 29. Oktober 2015

Anmelder: JX Nippon Oil & Energy Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015163315
Aktenzeichen: EP15782239
Anmeldetag: 21. April 2015
Veröffentlichung: 29. Oktober 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/18H01L33/22H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JX Nippon Oil & Energy Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JX Nippon Oil & Energy Corporation

Japanisches Mineralöl- und Energieunternehmen (Raffinerien, Kraftstoffe, Schmierstoffe), Vorläufergesellschaft des heutigen ENEOS-Konzerns.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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