Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device

WO2015164215 Art A1 29. Oktober 2015

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015164215
Aktenzeichen: EP15783644
Anmeldetag: 17. April 2015
Veröffentlichung: 29. Oktober 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/31H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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