High Breakdown N-Type Buried Layer

WO2015164853 Art A1 29. Oktober 2015

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015164853
Aktenzeichen: EP15782544
Anmeldetag: 27. April 2015
Veröffentlichung: 29. Oktober 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/337H01L29/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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