Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of deffects in strain-relaxed heteroepitaxy of semiconductor films

WO2015167682 Art A1 5. November 2015

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015167682
Aktenzeichen: EP15785719
Anmeldetag: 18. März 2015
Veröffentlichung: 5. November 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.794 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von