Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge

WO2015169554 Art A1 12. November 2015

Anmelder: Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015169554
Aktenzeichen: EP15718833
Anmeldetag: 15. April 2015
Veröffentlichung: 12. November 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L21/02H01L33/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Osram Opto Semiconductors Gmbh
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.892 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von