Improved sram storage unit based on dice structure

WO2015172412 Art A1 19. November 2015

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015172412
Aktenzeichen: EP14892018
Anmeldetag: 28. Mai 2014
Veröffentlichung: 19. November 2015
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/413

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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