Verfahren zur Lateralen Strukturierung einer Strukturschicht mit Dreidimensionalen Strukturelementen und Halbleiterbauelement

WO2015177131 Art A1 26. November 2015

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015177131
Aktenzeichen: EP15724978
Anmeldetag: 19. Mai 2015
Veröffentlichung: 26. November 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/18H01L33/24H01L21/304H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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