Resist pattern formation method, resist latent image formation device, and resist material

WO2015178464 Art A1 26. November 2015

Anmelder: Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015178464
Aktenzeichen: EP15795337
Anmeldetag: 21. Mai 2015
Veröffentlichung: 26. November 2015
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/38G03F7/004G03F7/039H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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