Method of manufacturing a germanium-on-insulator substrate

WO2015178857 Art A1 26. November 2015

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology, Nanyang Technological University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015178857
Aktenzeichen: EP15795484
Anmeldetag: 22. Mai 2015
Veröffentlichung: 26. November 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Massachusetts Institute of Technology
Nanyang Technological University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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