P-type fenbtisb thermoelectric material with high optimal value, and preparation method therefor

WO2015180034 Art A1 3. Dezember 2015

Anmelder: Zhejiang University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015180034
Aktenzeichen: EP14892950
Anmeldetag: 27. Mai 2014
Veröffentlichung: 3. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L35/18H01L35/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Zhejiang University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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