Fin Field-Effect Transistor Gated Diode

WO2015180595 Art A1 3. Dezember 2015

Anmelder: MediaTek Inc. 🇹🇼

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015180595
Aktenzeichen: EP15800075
Anmeldetag: 25. Mai 2015
Veröffentlichung: 3. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/861

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MediaTek Inc.
Land: 🇹🇼 Taiwan

🇹🇼 MediaTek

Taiwanisches Unternehmen, das Halbleiter und Chipsätze für Smartphones, Fernseher, WLAN-Geräte und andere elektronische Produkte entwickelt und vertreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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