Epitaxial wafer, semiconductor light emitting element, light emitting device, and method for producing epitaxial wafer

WO2015182207 Art A1 3. Dezember 2015

Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015182207
Aktenzeichen: EP15799936
Anmeldetag: 6. März 2015
Veröffentlichung: 3. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/16H01L21/205H01L33/32H01L33/50

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mitsubishi Chemical Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

2.926 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von