Silicon-carbide-ingot manufacturing method, silicon-carbide seed substrate, silicon-carbide substrate, semiconductor device, and semiconductor-device manufacturing method

WO2015182474 Art A1 3. Dezember 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015182474
Aktenzeichen: EP15799409
Anmeldetag: 21. Mai 2015
Veröffentlichung: 3. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B23/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von