Integrated capacitively-coupled bias circuit for rf mems switches

WO2015183841 Art A1 3. Dezember 2015

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015183841
Aktenzeichen: EP15731149
Anmeldetag: 26. Mai 2015
Veröffentlichung: 3. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01G5/18H01H59/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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