Ultra-low dielectric constant insulating film and method for manufacturing same

WO2015184573 Art A1 10. Dezember 2015

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015184573
Aktenzeichen: EP14894084
Anmeldetag: 28. Juli 2014
Veröffentlichung: 10. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768C23C16/513C23C16/44

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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