Method for direct nanometre etching or printing using electron beam in humid environment

WO2015184719 Art A1 10. Dezember 2015

Anmelder: Beijing University Of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015184719
Aktenzeichen: EP14893884
Anmeldetag: 14. Oktober 2014
Veröffentlichung: 10. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Beijing University Of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing University of Technology

Die Beijing University of Technology ist eine staatliche Hochschule in China mit breit gefächerter technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Software, Mess- und Prüftechnik, anorganische Chemie sowie Halbleiter- und Fertigungstechnik. Die Anmeldungen seit 2007 reichen von neuronaler Stimulationstechnik bis zu Werkstoff- und Oberflächentechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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