Thin film material residual stress testing structure and method
WO2015184946
Art A1
10. Dezember 2015
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015184946
- Aktenzeichen
- EP15803324
- Anmeldetag
- 5. Mai 2015
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01L1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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