Method for producing semiconductor having gettering layer, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

WO2015186625 Art A1 10. Dezember 2015

Anmelder: The Japan Steel Works, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015186625
Aktenzeichen: EP15803481
Anmeldetag: 29. Mai 2015
Veröffentlichung: 10. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/322H01L21/02H01L21/22H01L21/225H01L21/268H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Japan Steel Works, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 The Japan Steel Works

The Japan Steel Works ist ein japanischer Maschinenbaukonzern, unter anderem für Spritzgießmaschinen und Stahlkomponenten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Kunststoff- und Polymertechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt um Fertigungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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