Sic epitaxial wafer, apparatus for producing sic epitaxial wafer, method for producing sic epitaxial wafer, and semiconductor device

WO2015186791 Art A1 10. Dezember 2015

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015186791
Aktenzeichen: EP15803785
Anmeldetag: 4. Juni 2015
Veröffentlichung: 10. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/28H01L21/329H01L21/336H01L29/12H01L29/41H01L29/417H01L29/423H01L29/47H01L29/49H01L29/78H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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