Method of improving ion beam quality in a non-mass-analyzed ion implantation system

WO2015187639 Art A2 10. Dezember 2015

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015187639
Aktenzeichen: EP15802689
Anmeldetag: 2. Juni 2015
Veröffentlichung: 10. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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