Impurity adding apparatus, impurity adding method, and semiconductor element manufacturing method
WO2015189875
Art A1
17. Dezember 2015
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015189875
- Aktenzeichen
- EP14894407
- Anmeldetag
- 12. Juni 2014
- Veröffentlichung
- 17. Dezember 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/22H01L21/228
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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