Process for fabricating vertically-assigned gallium arsenide semiconductor nanowire array of large area

WO2015190637 Art A1 17. Dezember 2015

Anmelder: Korea Research Institute Of Standards And Science 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015190637
Aktenzeichen: EP14894309
Anmeldetag: 25. Juni 2014
Veröffentlichung: 17. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: B82B3/00H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Research Institute Of Standards And Science
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Research Institute of Standards and Science

Der Anmelder ist ein südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut für Metrologie mit Sitz in Daejeon, bekannt als KRISS. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiterbauelemente, Software und Medizintechnik. Anmeldungen laufen seit 2002 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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