Reducing Retention Loss in Analog Floating Gate Memory

WO2015192107 Art A1 17. Dezember 2015

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015192107
Aktenzeichen: EP15806791
Anmeldetag: 12. Juni 2015
Veröffentlichung: 17. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

4.297 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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