Semiconductor structure and method for forming same
WO2015192691
Art A1
23. Dezember 2015
Anmelder: Peking University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015192691
- Aktenzeichen
- EP15809596
- Anmeldetag
- 24. April 2015
- Veröffentlichung
- 23. Dezember 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/528H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Peking University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Peking University
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