Method for manufacturing nitride semiconductor single crystal substrate

WO2015193955 Art A1 23. Dezember 2015

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015193955
Aktenzeichen: EP14894967
Anmeldetag: 16. Juni 2014
Veröffentlichung: 23. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20C23C16/34C30B25/18C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Company, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

4.352 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von